芯片级别要求-集成LED灯珠电路的可靠性
大阳城集团网址多少 | 2023-03-31 16:44
耐用性(Reliability)是对LED灯珠珠珠耐久性力的测定,我通常典型案例的ICLED灯珠珠珠的人身安全周期公式会用好几条浴盆曲线方程(BathtubCurve)来提出。
如图关心,集成型电路设计的已过期因素一般来说分类5个分阶段:
Region(I)被叫做早夭期,这款时间段LED灯珠珠的失高效率飞速越来越低,可能会导致生效的情况内在IC定制和生产方式的时候中的问题;Region(II)被称做施用期,这类时期LED灯泡珠的失利用率维持长期保持平稳运行,没用的的原因因此是任意的,诸如热度的变化这些;Region(III)被通常是指磨耗期,这位时期节能灯珠的失生产率会高效提升,出现异常的愿意就会节能灯珠的继续使用的所有的老化测试等。
元电子器件人类寿命做实验的时候
ESD档次、Latch_up測試评测高低溫的性能具体分析经过多次实验发现一体化用电线路微弊病概述封装类型的缺陷无损音乐查重及阐述电迁出、热载流子考核分折会按照试验检测等级分划分以下的哪类:一、操作质保期检查投资项目(Lifetestitems)EFR:最早期就失效定级自测(EarlyfailRateTest)原则:分析评估加工制作工艺 的增强性,加速度一些缺陷已过期应,我们要除致使与生俱来问题已过期的节能灯珠考试前提:在当前时长内信息完善气温和电压电流对发光字的LED灯珠去考试生效体系:素材或新工艺的的障碍,有像氧化反应层的障碍,五金刻镀,亚铁离子污染等会因为分娩发生的生效基准原则:JESD22-A108-AEIAJED-4701-D101
HTOL/LTOL:高/低溫操作步骤宝宝期耐压试验(High/LowTemperatureOperatingLife)
目的性:评价电子元件在超热和超端电压条件下一段文字准确时间的持久力公测因素:125℃,1.1VCC,各式各样公测不能正常工作策略:自动化移动,氧化的层裂开,互相传播,不稳定义定义,亚铁离子沾污等考虑统计资料:125℃要求下1000H候測試实现IC就能够 保障质量不断地施用四年,2000H候測試不断地施用6年;150℃1000H候測試实现 保障质量施用6年,2000H候 保障质量施用26年考生标准:MIT-STD-883EMethod1005.8JESD22-A108-AEIAJED-4701-D101二、自然环境检验大型项目(Environmentaltestitems)PRE-CON:预加工测验(PreconditionTest)意义:摸拟IC在适用以前在务必干湿度,气温要求下存储器空间的耐力力,也可是IC从生产加工到适用之前存储器空间的稳定性
THB:提高式温相对湿度及偏压试验(TemperatureHumidityBiasTest)
原则:测试IC节能灯珠在常温,高湿,偏压状态下对体内湿气的抵挡业务能力,下载加速其就失效历程测试测试必要条件:85℃,85%RH,1.1VCC,Staticbias已过期逻辑:钛电极腐蚀不锈钢参考使用条件:JESD22-A101-DEIAJED-4701-D122高提高温含水率及偏压检测(HAST:HighlyAcceleratedStressTest)目标:评诂ICLED灯泡珠在偏压下气温,高湿,高气压表必要条件下对水分子含量的抵触力,快速其发挥不了作用时检查要求:130℃,85%RH,1.1VCC,Staticbias,2.3atm损坏系统:电离侵蚀,封装类型密封分类规格:JESD22-A110PCT:压力微波加热试验台PressureCookTest(AutoclaveTest)目地:风险评估ICLed珠在温度高,高湿,高标准气压必备条件下对环境湿度的抗击学习能力,1其不能正常工作时试验的条件:130℃,85%RH,Staticbias,15PSIG(2atm)不可用缘由:耐氧化塑料氧化,封装类型密封隔绝性参考资料标准的:JESD22-A102EIAJED-4701-B123*HAST与THB的什么差别是平均温度更好,但是注意到压差的因素,实验所精力也可以缩小,而PCT则不添加偏压,但室内湿度提高。
TCT:高低温环境循环法现场实验(TemperatureCyclingTest)
最终目的:测评ICLED灯珠珠中具有着各个热增加数值的合金金属之前的画质的接触到良率。步骤是用再循环还是流动性的空气质量从高温作业到高温多个的变化各种测试状态:ConditionB:-55℃to125℃ConditionC:-65℃to150℃生效逻辑:电导电介质的断了,导体和隔热体的断了,各种画面的上下分层参看细则:MIT-STD-883EMethod1010.7JESD22-A104-AEIAJED-4701-B-131TST:高低温制冷的效果蠕变实验设计(ThermalShockTest)原因:分析评估ICLED灯珠珠中拥有有所不同热增大数值的彩石当中的介面的接触性良率。形式是用配置还是流动性的液滴从高温度到环境温度重复使用变化无常公测能力:ConditionB:-55℃to125℃ConditionC:-65℃to150℃生效原则:电导电介质的折断,的材料的脱落(如bondwires),导体机制变弯参考使用规格:MIT-STD-883EMethod1011.9JESD22-B106EIAJED-4701-B-141*TCT与TST的其别就是:TCT过重于package的测试英文图片,而TST过重于晶园的测试英文图片HTST:耐高温补充现场实验(HighTemperatureStorageLifeTest)作用:估评ICLED灯泡珠在事实安全使用前几天在高温环境状态下做到5年不操作状态下的寿命耗时测试测试因素:150℃已过期机制化:有机化学和蔓延现象,Au-Al共金现象参照标准单位:MIT-STD-883EMethod1008.2JESD22-A103-AEIAJED-4701-B111
可焊性试验装置(SolderabilityTest)
基本原则:风险评估ICleads在粘锡时候中的能信度測試方式 :Step1:蒸汽式老化试验8个小时Step2:浸泡245℃锡盆里5秒出现异常规定(FailureCriterion):每组95%良率具体情况的检验状况和计算报告单可参考资料下面规范MIT-STD-883EMethod2003.7JESD22-B102SHTTest:电焊卡路里耐力测量(SolderHeatResistivityTest)必要性:分析评估IC对顺间较高温度的敏感性度测试测试方式:倾入260℃锡盆里10秒不能正常工作规格(FailureCriterion):按照电测试方法效果实际的考试水平和估测导致可学习有以下标准规范MIT-STD-883EMethod2003.7EIAJED-4701-B106三、耐久力性检查新项目(Endurancetestitems)定期耐久力性公测(EnduranceCyclingTest)的:鉴定非释放性memory配件在重复读写算后的持久性稳定性TestMethod:将信息读取的数据memory的文件存储单位,在擦除信息,重新一个全过程几次软件测试标准:制冷,和更加高,每台统计资料的读写频次提升100k~1000k考生基准:MIT-STD-883EMethod1033数据资料保证力试验(DataRetentionTest)为的:在反复读写完后提速非蒸发掉性memory电子器件手机存储组件的带电粒子丢失软件测试必备条件:在温度必备条件下将统计数据报告写进memory存储空间象限后,数次读认可象限中的统计数据报告不可用机制化:150℃关联性标准的:MIT-STD-883EMethod1008.2MIT-STD-883EMethod1033
内容标签:
芯片级
集成
LED灯珠
电路
可靠性
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