1、调查发现
调查报告了带来内裂的工艺技术和原故，重叠了皮秒激光led灯管珠因为的制造工艺技术，对每次工艺技术中的图纸作了考验，以探测集成电路电源存储芯片内裂。过程集成电路电源存储芯片键合和镁不锈钢工艺技术在此之后，考验人数在基本上采用的图纸都看到了内裂，我认为什么内裂是在集成电路电源存储芯片键合和镁不锈钢工艺技术中带来的。 在电子器件键合和铝合金工艺流程中，智能机械LED灯泡珠电子器件被键合到Au-Sn对焊的子支地上，这就让预热和急冷。这类，在该工艺流程中有了子吊架与电子器件相互之间的热能力。往往，探索工作人员施行了热能力研究，以搞清波浪纹有的理由。 定性分析展现，在金刚碎石子支墙上早期就带来了裂口，正是因为金刚石的直线扩张与电源芯片中的GaAs的有有很大反差。只要就查证了金刚石是裂口带来的主要是情况。2、这些结果澄清了光电失效过程：
基于在处理器键合和合金钢工艺程序中金刚石头子支架上子上的热弯曲应力效果，处理器与金刚石头子支架上直接的边沿诞生了微形内裂，该内裂一只加密到处理器上。内裂是那些肺部结节影，以至于未引致不能正常工作。 仍然环境温度再循环校正中的热承载力用，小型裂口连续不断提升，大到得以破裂集成电路芯片空腔的的情况，在最后造光电公司发挥不了作用。 在范围用大额定功率缴光LED灯珠珠中实行高可靠的性的的方式 工作上室内溫度的增高会大迅速皮秒激光节能灯珠不靠谱性的劣化。为了让绝对元器件的高不靠谱性，都要以避免单片机芯片有源层的室内溫度增高。3、有两种方法用来实现器件的温度控制：
一类是选用长空腔。延长心片空腔的直径可增加电压电流密度计算。这些脉冲激光LED灯珠珠的心片空腔的直径划为1200μm。 另个种办法是分为金刚沙石托架。金刚石的传热性性强于硅（Si）的传热性性，因此可提高热辐射能效果。金刚石和Si的热因素于表 1 显示信息。4、光电失效
经历过温湿度循环法校正后来，挖掘一部分原辅料显示光電科技就没用。这个原辅料在校正前几天已依据目检和光電科技性能考核校正。探索操作人员挖掘，该电子器件的覆盖并不会随操作电流量的尺寸而再次发生线形转变。用户用光纤激光切割机的光学显微镜观察就没用原辅料中的IC电源单片机芯片，挖掘IC电源单片机芯片上的两条裂开把IC电源单片机芯片分解成几部分。5、产生裂纹的工序的调查
为了更好地查清发生单片机集成块刮痕的加工过程，钻研工作人员重复使用了原本的按装加工过程，然后呢对每一位加工过程中选的原辅料作目检，以观察刮痕。按照蚀刻单片机集成块乐观察到内部组织刮痕，观察然而如表： （1）在集成ic键合与合金属工作之间，集成ic上未波浪纹； （2）在集成ic键合与硬质合金工艺技术以来，在许多应用的产品的样品中所观察到集成ic龟裂（包含内外龟裂）； （3）在温差循环往复测试之后，己经有企业内部袖珍型波浪纹的基带芯片上未察觉到光電不起作用； （4）温度表重复接下来则表明样本无效。 他们然而弄清楚了划痕出现的多种工艺流程或者从划痕出现到光电公司失灵的多种工艺流程： （1）在存储电源芯片键合和铝合金工作中带来了存储电源芯片磨痕； （2）在电子器件键合和耐热合金环节中带来的电子器件纹裂太窄，以至于于未引致不可用。但主要是因为室内温度无限循环中的热载荷角色，纹裂不停加大，通过发射卫星边线，结果英文引致光电产品不可用。6、芯片裂纹的原因调查
调查的人员看见，在处理器键合与镍钢属钢程序中处理器上诞生袖珍型划痕。处理器键合与镍钢属钢程序还有加温和放凉。自己已关注到处理器键合与镍钢属钢程序中的热承载力是诞生划痕的注意现象。但是，自己对拍摄的3d模型作了热承载力分析一下。7、通过分析和计算，得出如下结果：
（1）IC电子器件内形成了涨力；都具有金刚石和硅支架上的IC电子器件内外缘的应变力各自为0.09%和0.03%； （2）金刚石承受力的应力比是硅的3倍，都为1.2×10^9dyn·cm2和1.2×10^9dyn·cm2。 以上报告单可推论出下类或许性： （1）拉力后果到放凉的过程 中的处理集成块，故而，处理集成块上就会行成划痕； （2）单片机芯片波浪纹可能性在热内应力很高的表面上发生； （3）金刚碎石头子支地上承载的热应力比比硅子支地上的高，因为，金刚碎石头子支撑杆的IC芯片比较早产生裂口。 这么多效果技术论证了子电气支架与IC集成电路集成块之間的热能力造成 IC集成电路集成块就失效，金刚石与GaAs的波形回缩指数公式之間特殊区別是IC集成电路集成块内裂出现的主要的原则。8、结论
某些观察最终结果已明确了下类IC芯片内裂有的基本原理： （1）因此在心片键合和和金整个过程中的热扯力效用，心片与子三角架范围内的角处上生产的裂口过小，以至于于未会造成损坏。 （2）随着温循环法中的热能力功用，内裂连续扩增和损害了空腔，后来造成的光电技术就失效。
